重大突破！我国首条光子芯片中试线量产，商业化加速

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重大突破！我国首条光子芯片中试线量产，商业化加速：

6月5日，我国光子芯片领域迎来了一个具有里程碑意义的时刻。位于无锡的上海交大无锡光子芯片研究院的国内首条光子芯片中试线，成功下线了首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆，同时超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片也实现了规模化量产。

突破“卡脖子”难题
光量子芯片作为光量子计算的核心硬件载体，其产业化进程对我国在量子信息领域实现自主可控，抢占全球量子科技竞争制高点具有极其重要的战略意义。此前，由于共性关键工艺技术平台的缺失，我国光量子技术一直面临“实验室成果难以量产”的困境，这无疑是制约产业发展的“卡脖子”难题。如今，无锡光量子芯片中试平台的启用成为了破局的关键。

技术与设备的双重加持
为了攻克薄膜铌酸锂晶圆的制备工艺难题，上海交大无锡光子芯片研究院为中试平台引进了110余台国际顶级CMOS工艺设备，覆盖了从光刻、薄膜沉积、刻蚀、湿法、切割、量测到封装的全闭环工艺。依托这些尖端设备以及领先的纳米级加工能力，研究院取得了令人瞩目的成果。在6寸薄膜铌酸锂晶圆上实现了110纳米高精度波导刻蚀，在兼顾高集成度的同时，调制带宽突破110GHz、插入损耗低至3.5dB以下，信号强度和抗干扰能力等性能指标达国际一流水平。

量产能力与未来规划
一片直径6寸的晶圆可以切割出350颗芯片。在滨湖达产后，无锡光量子芯片中试平台将具备年产1.2万片薄膜铌酸锂晶圆的量产能力。这意味着未来将有大量的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片投入市场。近期，中试平台还将发布工艺设计包，将薄膜铌酸锂晶圆制备的核心工艺参数与器件模型全面纳入、开放共享，助力产业链企业快速完成从概念设计到流片验证再到量产的全流程闭环，显著缩短研发周期。

商业化前景广阔
随着我国首条光子芯片中试线实现量产，光子芯片的商业化进程也在加速推进。有数据显示，2025年光子芯片市场规模预计将超1200亿元。光子芯片在5G通信、量子计算、人工智能等众多领域都有着巨大的应用潜力。比如在5G通信中，能实现更高速的数据传输；在量子计算领域，为量子计算机的发展提供更强大的硬件支持。

此次我国首条光子芯片中试线的量产，是我国在光子芯片领域的一次重大飞跃，不仅提升了我国在量子科技领域的国际竞争力，也为全球光子芯片产业的发展注入了新的活力。相信在未来，随着技术的不断进步和市场的不断拓展，光子芯片将为我们的生活和科技发展带来更多的惊喜和变革。让我们共同期待光子芯片在各个领域的广泛应用和精彩表现。

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